本文標(biāo)題："擴散設(shè)備可完成擴散和氧化-電子器件檢測顯微鏡"
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擴散設(shè)備可完成擴散和氧化-電子器件檢測顯微鏡
用濕化學(xué)腐蝕法把原來的多晶層除去，露出原來的淀積層和氧化
物覆蓋的最初淀積的硅外延層的隔離區(qū)。所以，外延爐不僅可以生
長外延層，還可以通過氣相腐蝕和氧化，形成復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。
擴散設(shè)備也可以完成擴散和氧化之外的任務(wù)。一種專門的技術(shù)
就是退火方法，它可以保持本體半導(dǎo)體的壽命，舉例來說，漂移晶
體管的工作很大程度上依賴于本體半導(dǎo)體的壽命。標(biāo)準(zhǔn)的擴散和氧
化工序會使壽命降低，不過半導(dǎo)體的壽命可用退火方法來保持。在
每次專門氧化或擴散之后必須進(jìn)行退火；或者在整個擴散一氧化結(jié)
束之后，單獨進(jìn)行退火。根據(jù)制造器件的具體情況，制造器件用的
爐子設(shè)備必須能夠進(jìn)行必
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