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本文標題:"光電領域研究表面輪廓測量儀器-高解析度的光學成像顯微鏡"

發布者:yiyi ------ 分類: 行業動態 ------ 人瀏覽過-----時間:2013-9-26 5:29:37

 光電領域研究表面輪廓測量儀器-高解析度的光學成像顯微鏡

 
 
近年來Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體家族以及有機
發光半導體材料在光電領域研究上扮演著很重要的角色,
 
以偏光調變近場光學顯微鏡(PM-NSOM)為工具,利用其高解析度的光學成像能力以及結晶對不同偏振光的吸收差異,
研究無機半導體-(氮化銦鎵薄膜)與有機半導體(OLED)中電子傳輸層(Alq3)之結晶狀態與其發光特性。在氮化銦鎵薄膜上,
我們成功的量測出結晶化程度較差的V型缺陷為非輻射復合中心,而圍繞在V型缺陷環之銦含量比較多的氮化銦鎵簇則為輻射復合中心,
其結晶化程度也較佳。在OLED上,我們成功的量測出低溫制程(-150℃)Alq3薄膜的結晶情形,
而利用此低溫Alq3做成的OLED元件,其發光效率也較傳統元件來的高
 

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